Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 483 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3951P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF100P218AKMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 10 - 24 | CHF 8.69 |
| 25 - 49 | CHF 8.49 |
| 50 - 99 | CHF 7.94 |
| 100 + | CHF 7.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3951P
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- IRF100P218AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 483A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 483A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 483 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRF100P218AKMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleitergerät für Leistungsschalt- und Umwandlungsaufgaben. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem TO‐247-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert. Das Gerät verwendet eine Verstärkungsmodus-Leitung und erfüllt die RoHS-Anforderungen.
Merkmale und Vorteile:
• 1.28 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hoher Belastung
• 100 V Vds ermöglicht Anwendungen mit mittlerer Spannung
• 483A Dauerstrom unterstützt Hochstromschaltung
• Der Bereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Betrieb bei industriellen Temperaturen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V verbessert die Diodenleitungseffizienz
• 100 V Vds ermöglicht Anwendungen mit mittlerer Spannung
• 483A Dauerstrom unterstützt Hochstromschaltung
• Der Bereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Betrieb bei industriellen Temperaturen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V verbessert die Diodenleitungseffizienz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Motorantriebsstufen
• Ideal für das Schalten von Wechselrichterausgängen
• Einsatz mit Hochstrom-Stromversorgungsdesigns
• Kann für DC/DC-Wandler in industriellen Systemen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromprüfstände und Lastbanken
• Ideal für das Schalten von Wechselrichterausgängen
• Einsatz mit Hochstrom-Stromversorgungsdesigns
• Kann für DC/DC-Wandler in industriellen Systemen verwendet werden
• Geeignet für Hochstromprüfstände und Lastbanken
Welche Befestigungsanordnung verwendet sie?
Er wird in einem TO‐247-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage ausgelegt ist.
Welche Leitungsart nutzt das Gerät?
Der Transistor ist ein Enhancement-Mode-N-Kanal für kontrolliertes Schalten.
Entspricht er den gängigen Beschränkungen für gefährliche Stoffe?
Er verfügt über eine RoHS-Zulassung, was bedeutet, dass eingeschränkte Stoffe kontrolliert werden.
Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und +175 °C ausgelegt.
Wie hoch ist die typische Durchlassspannung während der Körper-Dioden-Leitung?
Die Durchlassspannung ist auf 1,2 V angegeben.