Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 156 W, 8-Pin IRFH8303TRPBF PQFN

RS Best.-Nr.:: 258-3972
Herst. Teile-Nr.:: IRFH8303TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 156 W, 8-Pin IRFH8303TRPBF PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF.1.953	CHF.3.91
20 - 48	CHF.1.764	CHF.3.52
50 - 98	CHF.1.638	CHF.3.28
100 - 198	CHF.1.544	CHF.3.09
200 +	CHF.1.428	CHF.2.86

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 258-3972
Herst. Teile-Nr.:: IRFH8303TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	280A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.7mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	58nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.9mm
	Länge	6mm
	Breite	5 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.9mm
	Länge 6mm
	Breite 5 mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH8303TRPBF

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Erhöhte Leistungsdichte

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 156 W, 8-Pin IRFH8303TRPBF PQFN

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