Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 280 A 156 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
258-3972
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8303TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5mm

Länge

6mm

Höhe

900μm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Erhöhte Leistungsdichte

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