Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -13 A 110 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3986P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR6215TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 1.919 |
| 125 - 245 | CHF 1.818 |
| 250 - 495 | CHF 1.687 |
| 500 + | CHF 1.555 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3986P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR6215TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 580mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 580mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphase-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren entwickelt. Die gerade Kabelversion ist für die Durchgangsbohrungsmontage vorgesehen. Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt sind in typischen SMD-Anwendungen möglich.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
erhöhte Robustheit
Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Qualifikationsstufe nach Industriestandard