Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A, 8-Pin TO-263

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258-7681P
Herst. Teile-Nr.:
BSC252N10NSFGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

25.2mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET OptiMOS von Infineon bietet überlegene Lösungen für SMPS mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese MOSFET-Familie eine Reduzierung von 30 Prozent sowohl bei RDS(on) als auch bei der Leistungszahl.

Hervorragendes Schaltverhalten

Weltweit niedrigster RDS auf

RoHS-konform und halogenfrei

MSL1 bewertet 2

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