Infineon N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 7.7 A, 8-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-7692P
Herst. Teile-Nr.:
BSO220N03MDGXUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET OptiMOS 3 M von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, womit er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist.

Erhöhte Batterielebensdauer

Einfach in der Planung

Verringerung der Leistungsverluste

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