Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 80 A, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-7742P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.70.70
Auf Lager
- 5'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.707 |
| 250 - 490 | CHF 0.677 |
| 500 - 990 | CHF 0.485 |
| 1000 + | CHF 0.404 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-7742P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS 3 Power-MOSFET von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie einen niedrigen Durchlasswiderstand in einem kompakten Gehäuse. Damit ist er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen.
Geringster Durchlasswiderstand in Gehäusen mit kleiner Grundfläche
Einfaches Design
Spart Kosten
Spart Platz
Reduziert Leistungsverluste