Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET / 5 A, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
258-8195P
Herst. Teile-Nr.:
IRF7205TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.13Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

1.75mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

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