Infineon IRF7425 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 258-8200P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7425TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 50 - 95 | CHF.0.818 |
| 100 - 495 | CHF.0.636 |
| 500 - 1995 | CHF.0.525 |
| 2000 + | CHF.0.414 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-8200P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7425TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | IRF7425 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.2mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie IRF7425 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.2mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||