Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 259-1471
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC036NE7NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 2.909 | CHF 5.82 |
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| 50 - 98 | CHF 2.444 | CHF 4.90 |
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- RS Best.-Nr.:
- 259-1471
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC036NE7NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 156W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Breite | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 156W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Breite 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die 75-V-Optimos-Technologie von Infineon ist auf synchrone Gleichrichteranwendungen spezialisiert. Basierend auf der führenden 80-V-Technologie bieten diese 75-V-Produkte gleichzeitig die niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und eine überlegene Schaltleistung.
Optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung
Beste Schaltleistung
Weltweit niedrigste R DS(on)
Sehr geringe Q g und Q gd
Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)
RoHS-konform, halogenfrei
MSL3-Zulassung
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