Teile-Nr.

Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 100 A 156 W, 8-Pin BSC036NE7NS3GATMA1 TDSON

RS Best.-Nr.:: 259-1471
Herst. Teile-Nr.:: BSC036NE7NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 100 A 156 W, 8-Pin BSC036NE7NS3GATMA1 TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.2.164

Auf Lager

2’700 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF.1.082	CHF.2.16
20 - 48	CHF.0.966	CHF.1.93
50 - 98	CHF.0.903	CHF.1.82
100 - 198	CHF.0.84	CHF.1.69
200 +	CHF.0.546	CHF.1.08

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 259-1471
Herst. Teile-Nr.:: BSC036NE7NS3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	BSC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.6Ω
	Channel-Modus	N
	Maximale Verlustleistung Pd	156W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	63.4nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.1 mm
	Höhe	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie BSC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6Ω
	Channel-Modus N
	Maximale Verlustleistung Pd 156W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63.4nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.1 mm
	Höhe 5.35mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC036NE7NS3GATMA1

Die 75-V-Optimos-Technologie von Infineon ist auf synchrone Gleichrichteranwendungen spezialisiert. Basierend auf der führenden 80-V-Technologie bieten diese 75-V-Produkte gleichzeitig die niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und eine überlegene Schaltleistung.

Optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung

Beste Schaltleistung

Weltweit niedrigste R DS(on)

Sehr geringe Q g und Q gd

Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)

RoHS-konform, halogenfrei

MSL3-Zulassung

Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 100 A 156 W, 8-Pin BSC036NE7NS3GATMA1 TDSON

Verwandte Links