Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 50 A TO-252

RS Best.-Nr.:: 259-1553
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N04S4L08ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 50 A TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.710.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 02. April 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 - 2500	CHF.0.284	CHF.700.88
5000 +	CHF.0.263	CHF.666.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 259-1553
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N04S4L08ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	IPD
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie IPD
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD50N04S4L08ATMA1

Der N-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist AEC Q101-qualifiziert für die Automobilindustrie. OptiMOS-T 40 V richtet sich an kleine Laststeuerungs-Schaltungen von 3-Phasen- und H-Brückenmotoren, elektrischen Pumpen usw., insbesondere in Kombination mit PWM-Steuerung.

Kfz-Zulassung AEC Q101

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 50 A TO-252

Verwandte Links