Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 50 A TO-252

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RS Best.-Nr.:
259-1554P
Herst. Teile-Nr.:
IPD50N04S4L08ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.30mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist AEC Q101-qualifiziert für die Automobilindustrie. OptiMOS-T 40 V richtet sich an kleine Laststeuerungs-Schaltungen von 3-Phasen- und H-Brückenmotoren, elektrischen Pumpen usw., insbesondere in Kombination mit PWM-Steuerung.

Kfz-Zulassung AEC Q101

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

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