Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 199 A HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 259-2643
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08NF2SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPT012N08NF2SATMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 199A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 199A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs Infineon StrongIRFET 2 sind für eine Vielzahl von Anwendungen wie SMPS, Motorantrieb, Batteriebetrieb, Batteriemanagement, USV und leichte Elektrofahrzeuge optimiert. Diese neue Technologie bietet eine Verbesserung der RDS(on) von bis zu 40 Prozent und eine bis zu 60 Prozent niedrigere Qg im Vergleich zu den vorherigen StrongIRFET-Geräten, was sich in einer höheren Energieeffizienz für eine verbesserte Gesamtsystemleistung niederschlägt. Erhöhte Nennströme ermöglichen eine höhere Strombelastbarkeit und eliminieren die Notwendigkeit, mehrere Geräte parallel zu betreiben, was zu niedrigeren BOM-Kosten und Einsparungen auf der Platine führt.
Große Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Ausgezeichnetes Preis/Leistungs-Verhältnis
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenzen
Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
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