Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 365 A 375 W, 16-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 259-2732P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 5.21 |
| 25 - 49 | CHF 4.86 |
| 50 - 99 | CHF 4.53 |
| 100 + | CHF 4.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-2732P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC014N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 365A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 168nC | |
| Durchlassspannung Vf | 880mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 365A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie IPT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 168nC | ||
Durchlassspannung Vf 880mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die industriellen OptiMOS 5-Leistungs-MOSFET-Geräte von Infineon in 80 V und 100 V wurden für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilanwendungen entwickelt, sind aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantriebe und Laptop-Adapter. Mit einem breiten Gehäuseportfolio bietet diese Leistungs-MOSFET-Familie den branchenweit niedrigsten RDS(on). Einer der größten Beiträge zu dieser branchenführenden Leistung (FOM) ist der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand mit einem Wert von nur 2,7 mΩ im SuperSO8-Gehäuse, der das höchste Maß an Leistungsdichte und Effizienz bietet.
N-Kanal, normaler Pegel
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)
Überlegener Wärmewiderstand
100 % Lawinengeprüft
Bleifreie Kabelbeschichtung; RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-24