Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2670P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 5.94 |
| 25 - 49 | CHF 5.56 |
| 50 - 99 | CHF 5.22 |
| 100 + | CHF 4.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-2670P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 319V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.3mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 319V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.3mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer
Hohe Leistungsdichte
Überlegene thermische Leistung
Einsparung im Kühlsystem