Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2676P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 6.60 |
| 25 - 49 | CHF 6.17 |
| 50 - 99 | CHF 5.80 |
| 100 + | CHF 5.35 |
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- RS Best.-Nr.:
- 260-2676P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Durchlassspannung Vf | 820mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Durchlassspannung Vf 820mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET wird in einem verbesserten TO-verdrahteten Gehäuse mit Gullwing-Kabeln geliefert, die eine kompatible Abmessung gegenüber TO-verdrahteten haben, was eine ausgezeichnete elektrische Leistung ermöglicht. Es handelt sich um eine erstklassige Technologie mit hohem Nennstrom.
Geringes Klingeln und geringe Spannungsüberlastung
Hohe Leistungsfähigkeit
Hohe Systemzuverlässigkeit
Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Optimierte Platinennutzung