Infineon BSP N-Kanal MOSFET Entleerung 600 V / 120 mA, 4-Pin PG-SOT223
- RS Best.-Nr.:
- 260-5075P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP135H6906XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF 2.283 |
| 50 - 120 | CHF 2.151 |
| 125 - 245 | CHF 2.00 |
| 250 + | CHF 1.858 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5075P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP135H6906XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | BSP | |
| Gehäusegröße | PG-SOT223 | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie BSP | ||
Gehäusegröße PG-SOT223 | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-MOSFET-Transistor von Infineon arbeitet im Erschöpfungsmodus. Seine maximale Verlustleistung beträgt 1,8 W. Dieser MOSFET-Transistor hat eine minimale Betriebstemperatur von -55 °C und eine maximale Betriebstemperatur von 150 °C.
Erschöpfungsmodus
dv- oder dt-Nennstrom
Erhältlich mit V GS(th)-Anzeige auf der Rolle