Teile-Nr.

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 18 A TO-252

RS Best.-Nr.:: 260-5131
Herst. Teile-Nr.:: IPD320N20N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 18 A TO-252

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RS Best.-Nr.:: 260-5131
Herst. Teile-Nr.:: IPD320N20N3GATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	18A
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Channel-Modus	N
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Channel-Modus N
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD320N20N3GATMA1

Der N-Kanal-OptiMOS-MOSFET-Transistor von Infineon bietet eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.

N-Kanal, normaler Pegel

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung

Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 18 A TO-252

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