Infineon IPD Typ N-Kanal MOSFET N / 18.1 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5134P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R280CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF 1.586 |
| 125 - 245 | CHF 1.485 |
| 250 - 495 | CHF 1.374 |
| 500 + | CHF 1.283 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5134P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R280CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18.1A | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18.1A | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.
Sehr hohe Schaltflexibilität
Einfach zu bedienen oder zu fahren