Infineon IPD N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5140P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R3K3C6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 53.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.535 |
| 250 - 490 | CHF 0.515 |
| 500 - 990 | CHF 0.495 |
| 1000 + | CHF 0.333 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5140P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R3K3C6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.7A | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Channel-Modus | P | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Channel-Modus P | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C6 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.
Reduzierte Gate-Ladung (Q g)
Gute Gehäuse-Dioden-Robustheit