STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 64 A, 3-Pin ACEPACK SMIT
- RS Best.-Nr.:
- 261-5481P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH68N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 261-5481P
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- SH68N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | ACEPACK SMIT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 116nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße ACEPACK SMIT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 116nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Die STMicroelectronics-Kombination aus zwei MOSFETs in einer Halbbrückentopologie. Das ACEPACK SMIT ist ein sehr kompaktes und robustes Stromversorgungsmodul in einem SMD-Gehäuse für einfache Montage. Das DBC-Substrat, das ACEPACK SMIT-Gehäuse, bietet einen niedrigen Wärmewiderstand in Verbindung mit einem isolierten Wärmepolster auf der Oberseite. Die hohe Designflexibilität des Gehäuses ermöglicht mehrere Konfigurationen, einschließlich Phasenbeine, Boost und Einzelschalter durch verschiedene Kombinationen der internen Netzschalter.
Halbbrücken-Stromversorgungsmodul
650 V Sperrspannung
Gehäusediode für schnelle Erholung
Sehr niedrige Schaltenergien
Niedrige Gehäuseinduktivität