Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 72 A, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 262-6772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFSL4127PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 262-6772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFSL4127PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 72A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.075Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 72A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.075Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.
Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt
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