Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A, 3-Pin TO-262

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262-6774P
Herst. Teile-Nr.:
IRFSL7437PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA.

Halogenfrei

Verbesserte Gehäuse-Dioden-Fähigkeit dV/dt und dI/dt

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