ROHM RQ5E025TN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.5 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- RS Best.-Nr.:
- 264-3827
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E025TNTL
- Marke:
- ROHM
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| 25 - 25 | CHF.0.242 | CHF.6.04 |
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| 100 - 225 | CHF.0.179 | CHF.4.49 |
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- RS Best.-Nr.:
- 264-3827
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ5E025TNTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | RQ5E025TN | |
| Gehäusegröße | SOT-346 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 92mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie RQ5E025TN | ||
Gehäusegröße SOT-346 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 92mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Kleinsignal-MOSFET von ROHM ist ein MOSFET für Schaltanwendungen. Es handelt sich um ein hochzuverlässiges Produkt in Automobilqualität, das nach AEC-Q101 qualifiziert ist. Es handelt sich um ein kleines oberflächenmontierbares Gehäuse mit Pb-freier Bleibeschichtung und ist RoHS-konform.
Niedriger Einschaltwiderstand
Eingebaute G-S-Schutzdiode
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