ROHM RQ6E030AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / -3 A 1.25 W, 6-Pin RQ6E030ATTCR SOT-457
- RS Best.-Nr.:
- 264-3831
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6E030ATTCR
- Marke:
- ROHM
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| 100 - 225 | CHF.0.336 | CHF.8.51 |
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- RS Best.-Nr.:
- 264-3831
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6E030ATTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | RQ6E030AT | |
| Gehäusegröße | SOT-457 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 91mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie RQ6E030AT | ||
Gehäusegröße SOT-457 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 91mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der mittlere Leistungs-MOSFET von ROHM ist ein kleiner, oberflächenmontierter MOSFET mit Pb-freier Bleibeschichtung und RoHS-konformem Gehäuse.
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