ROHM RSR020P05HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / -2 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- RS Best.-Nr.:
- 264-3848
- Herst. Teile-Nr.:
- RSR020P05HZGTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.10.25
Auf Lager
- Zusätzlich 2’075 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.41 | CHF.10.19 |
| 50 - 75 | CHF.0.399 | CHF.10.00 |
| 100 - 225 | CHF.0.315 | CHF.7.82 |
| 250 - 975 | CHF.0.305 | CHF.7.64 |
| 1000 + | CHF.0.242 | CHF.5.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-3848
- Herst. Teile-Nr.:
- RSR020P05HZGTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Serie | RSR020P05HZG | |
| Gehäusegröße | SOT-346 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Serie RSR020P05HZG | ||
Gehäusegröße SOT-346 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Kleinsignal-MOSFET von ROHM ist ein hochzuverlässiger Transistor in Automobilqualität, der sich für Schaltanwendungen eignet und ein kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage besitzt. Pb-freie Bleiplattierung; RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert.
Niedriger Einschaltwiderstand
Eingebaute G-S-Schutzdiode
Verwandte Links
- ROHM RSR020P05HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / -2 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- ROHM RTR025N05HZG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2.5 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- ROHM RTR020N05HZG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- ROHM RTR030N05HZG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 3 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- ROHM RSR025N05HZG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2.5 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- ROHM RTR025P02HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / -2.5 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- ROHM RTR030P02HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / -3 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- ROHM RRR040P03HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / -4 A 1 W, 3-Pin SOT-346