ROHM RTR030P02HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / -3 A 1 W, 3-Pin SOT-346
- RS Best.-Nr.:
- 264-3883
- Herst. Teile-Nr.:
- RTR030P02HZGTL
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 264-3883
- Herst. Teile-Nr.:
- RTR030P02HZGTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | RTR030P02HZG | |
| Gehäusegröße | SOT-346 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie RTR030P02HZG | ||
Gehäusegröße SOT-346 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.3nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der Kleinsignal-MOSFET von ROHM ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand für die Automobilindustrie, der sich zum Schalten eignet und ein kleines Gehäuse für die Oberflächenmontage besitzt. Pb-freie Bleiplattierung; RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert.
Eingebaute G-S-Schutzdiode
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