Microchip TN5335 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 350 V / 230 mA 1.6 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 264-8925P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5335K1-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 264-8925P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5335K1-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 350V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | TN5335 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15Ω | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 350V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie TN5335 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15Ω | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks