Microchip Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET MOSFET 350 V / -200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 264-8932P
- Herst. Teile-Nr.:
- TP5335K1-G
- Marke:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 264-8932P
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- TP5335K1-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 350V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | MOSFET | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 350V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus MOSFET | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip-P-Kanal-MOSFET mit niedrigem Schwellenwert, Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren nutzt. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Geringe Leistungsanforderung des Antriebs
Einfaches Parallelieren
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Frei von sekundären Störungen
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