Microchip VP2110 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / -120 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 264-8951P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2110K1-G
- Marke:
- Microchip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.37.30
Auf Lager
- Zusätzlich 1’840 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.0.746 |
| 100 - 240 | CHF.0.399 |
| 250 - 990 | CHF.0.399 |
| 1000 + | CHF.0.389 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-8951P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP2110K1-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -120mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | VP2110 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -120mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie VP2110 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3 mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert und Verstärkungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundären Störungen
Geringe Leistungsanforderung des Antriebs
Einfaches Parallelieren
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete thermische Stabilität
Integrierte Source-to-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung