ROHM RD3R02BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 266-3852
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3R02BBHTL1
- Marke:
- ROHM
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| 100 - 245 | CHF.0.683 | CHF.3.41 |
| 250 - 995 | CHF.0.672 | CHF.3.34 |
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- RS Best.-Nr.:
- 266-3852
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3R02BBHTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 6V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3R02BBH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 81mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 6V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3R02BBH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 81mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für das Schalten.
Bleifreie Beschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
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