ROHM RD3R02BBH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 266-3852
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3R02BBHTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
50 weitere Einheiten hinzufügen, um CHF 4.55 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 4.55
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 0.909 | CHF 4.57 | - |
| 50 - 95 | CHF 0.818 | CHF 4.11 | CHF 4.55 |
| 100 - 245 | CHF 0.657 | CHF 3.28 | CHF 25.20 |
| 250 - 995 | CHF 0.646 | CHF 3.21 | CHF 65.75 |
| 1000 + | CHF 0.535 | CHF 2.68 | CHF 374.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 266-3852
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3R02BBHTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 6V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3R02BBH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 81mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 6V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3R02BBH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 81mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für das Schalten.
Bleifreie Beschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM RD3R02BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3P03BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3G500GN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 35 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3P07BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 89 W, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3R05BBH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 6 V / 50 A 89 W, 3-Pin TO-252
- ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-252
- ROHM RD3L03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 50 A 50 W TO-252
- ROHM R65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V 26 W, 3-Pin TO-252