Vishay SIHH N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 89 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8303P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SIHH | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.25Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SIHH | ||
Gehäusegröße PowerPAK 8 x 8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.25Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TW
MOSFET der SIHH-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 13 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHH250N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen, bei denen eine kompakte Oberflächenmontage erforderlich ist. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus und ist für hohe Spannungen und Ströme in anspruchsvollen thermischen Umgebungen ausgelegt, während er den RoHS-Beschränkungen entspricht.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 13 A Dauerstrom unterstützt einen erheblichen Lastantrieb
• 0.25 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 89 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 23 nC ermöglicht Gate-Übergänge mit moderater Geschwindigkeit
• Vgs max. 30 V gewährleistet eine robuste Gate-Drive-Marge
• 13 A Dauerstrom unterstützt einen erheblichen Lastantrieb
• 0.25 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 89 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• Die typische Gate-Ladung von 23 nC ermöglicht Gate-Übergänge mit moderater Geschwindigkeit
• Vgs max. 30 V gewährleistet eine robuste Gate-Drive-Marge
Anwendungen
• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Verwendung mit isolierten Gate-Treibern in Leistungswandlern
• Kann für Resonanz- und Soft-Switching-Topologien verwendet werden
• Geeignet für industrielle Power-Management-Module
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebsstufen
• Verwendung mit isolierten Gate-Treibern in Leistungswandlern
• Kann für Resonanz- und Soft-Switching-Topologien verwendet werden
• Geeignet für industrielle Power-Management-Module
Welche extremen Temperaturen kann er im Betrieb tolerieren?
Es ist spezifiziert für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C für den Einsatz unter rauen thermischen Bedingungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für kompakte Baugruppen vorgesehen?
Er wird in einem PowerPAK 8x8-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, um Leiterplattenfläche zu sparen und die Wärmeleitung zu verbessern.
Wie wirkt sich die Durchlassspannung des Geräts auf die Leitung zwischen Gehäuse und Diode aus?
Die Durchlassspannung von 1,2 V zeigt den typischen Spannungsabfall über die Eigenspannungsdiode während der Umkehrleitung an, was die Verlustberechnungen in synchrone Gleichrichtung oder Freilaufbahnen beeinflusst.
Welche Pin-Konfiguration ist für die Schaltungsintegration verfügbar?
Die Komponente verfügt über vier freiliegende Stifte, was separate Verbindungen für Quellen-, Drain-, Gate- und Tab-Anordnungen oder Thermopads während des Leiterplatten-Layouts ermöglicht.