Vishay SIHK N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 268-8313P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIHK125N60EF-T1GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.125Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 9.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.125Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 9.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der SIHK-Serie von Vishay, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 21 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIHK125N60EF-T1GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Leistungsumwandlung und Steuerung auf Leiterplatten entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist für Anwendungen konzipiert, die eine robuste Spannungsbelastbarkeit und eine moderate Strombelastbarkeit in einem leiterplattenmontierten PowerPAK-Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 650 V Drain-Fähigkeit für Hochspannungsschaltung
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom für eine gleichmäßige Stromversorgung
• Niedrige Rds(on) von 0.125 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 132 W Verlustleistung für thermischen Kopfraum
• 45 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Source-Nennleistung für flexible Gate-Treiber-Ebenen
• 21 A kontinuierlicher Ablassstrom für eine gleichmäßige Stromversorgung
• Niedrige Rds(on) von 0.125 Ω zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• 132 W Verlustleistung für thermischen Kopfraum
• 45 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 30-V-Gate-Source-Nennleistung für flexible Gate-Treiber-Ebenen
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile in Industrieanlagen
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden
• Verwendung mit isolierten Gate-Treibern in Leistungswandlern
• Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen verwendet werden
• Geeignet für Wechselrichterschaltungen in erneuerbaren Energiesystemen
• Ideal für Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden
• Verwendung mit isolierten Gate-Treibern in Leistungswandlern
• Kann für Leistungsfaktorkorrekturstufen verwendet werden
• Geeignet für Wechselrichterschaltungen in erneuerbaren Energiesystemen
Welches Gehäuse wird für die Leiterplattenmontage und das Wärmemanagement bereitgestellt?
Die Komponente wird in einem PowerPAK 10x12-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für die Leiterplattenmontage entwickelt wurde, um die Wärmeübertragung auf die Leiterplatte zu unterstützen und lötbasierte Wärmewege zu ermöglichen.
Welchen thermischen Extremen kann das Gerät im Betrieb standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit erheblichen Temperaturschwankungen.
Wie verhält sich das Gerät als gate-gesteuerter Schalter?
Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Enhancement-Modus, der eine positive Gate-Source-Spannung bis zu seiner 30-V-Grenze zur Leitung benötigt, und seine typische Gate-Ladung von 45 nC informiert über Schaltenergieberechnungen.
Gibt es Umwelt- oder Regulierungsmerkmale?
Das Gerät entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe und entspricht den Umweltrichtlinien für elektronische Komponenten.