Vishay SIJH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 174 A 333 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 268-8325P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 50 - 99 | CHF.5.90 |
| 100 - 249 | CHF.4.84 |
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8325P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SIJH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0041Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 7.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SIJH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0041Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 7.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist vollständig bleifreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Batteriemanagement verwendet.
Sehr geringe Verdienstzahl
ROHS-konform
UIS 100 Prozent getestet