Vishay SiRA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 128 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
268-8338
Herst. Teile-Nr.:
SiRA54ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

128A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SiRA

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0022Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 4 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es handelt sich um ein einzelnes Konfigurationsgerät und wird als synchrone Gleichrichtung und Motorantriebssteuerung verwendet.

ROHS-konform

UIS-geprüft zu 100 Prozent

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