Vishay SQJ Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 66 A 135 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 268-8366
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8366
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 66A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SQJ | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.032Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 66A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SQJ | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.032Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Kfz-N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 4 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es handelt sich um ein einzelnes Konfigurationsgerät, das unabhängig von der Betriebstemperatur ist.
AEC Q101 qualifiziert
ROHS-konform
UIS 100 Prozent getestet
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