STMicroelectronics STP N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 12 A 115 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 269-5164P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N340K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 98 | CHF 4.424 |
| 100 - 198 | CHF 3.373 |
| 200 + | CHF 2.99 |
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- RS Best.-Nr.:
- 269-5164P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP80N340K6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | STP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 340mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 115W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 10.4mm | |
| Länge | 28.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie STP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 340mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 115W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 10.4mm | ||
Länge 28.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist ein sehr hoher Spannungs-MOSFET, der mit der ultimativen MDmesh K6-Technologie entwickelt wurde und für Anwendungen mit überragender Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad die beste Widerstandsklasse pro Bereich und Gate-Ladung bietet.
Extrem niedrige Gate-Ladung
100 Prozent Lawinengeprüft