Infineon BSL606SN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 4.5 A 2 W, 6-Pin PG-TSOP-6

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET wurde für oberflächenmontierte Leistungsschaltvorgänge in Automobilumgebungen entwickelt. Er bietet eine moderate Strombelastbarkeit und Spannungsfestigkeit bei niedriger Durchlassspannung und eignet sich für Steuerungs- und Lastschaltfunktionen in einem breiten Umgebungsbereich. Das Gerät ist für die kompakte Montage verpackt und erfüllt die Qualifizierung für Stressprüfungen in der Automobilindustrie für den Einsatz in extremen Temperaturanwendungen.

• Die maximale Drain-Source-Spannung von 60 V sorgt für einen robusten Spannungsbereich
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 4,5 A ermöglicht mäßiges Stromschalten
• Die Durchlassspannung von 1,1 V minimiert die Leitungsverluste während des Betriebs
• Die typische Gate-Ladung von 3,7 nC ermöglicht eine schnellere Schaltauslösung
• Die maximale Verlustleistung von 2 W ermöglicht eine kontinuierliche Wärmebehandlung

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für das Schalten von Gleichstromlasten in Steuergeräten
• Verwendung mit kompakten Oberflächenbaugruppen, die Platzersparnis erfordern
• Kann für Treiber-Low-Side-Schaltvorgänge verwendet werden

Das Gerät nimmt bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf, sodass Gate-Drive-Schaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben müssen.

Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz unter rauen Umgebungsbedingungen und unter der Motorhaube.

Er ist für die Oberflächenmontage in einem PG-TSOP-6-Gehäuse vorgesehen und eignet sich für die automatisierte Leiterplattenmontage.

Der Transistor verwendet einen N-Typ-Kanal im Enhancement-Modus für herkömmliches MOSFET-Schaltverhalten.

Er entspricht der AEC-Q101-Qualifikation für die Akzeptanz in elektronischen Anwendungen im Automobilbereich.