Infineon IPD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 273-3004
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD079N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.838 | CHF 9.17 |
| 50 - 95 | CHF 1.414 | CHF 7.05 |
| 100 - 245 | CHF 1.303 | CHF 6.54 |
| 250 - 995 | CHF 1.283 | CHF 6.42 |
| 1000 + | CHF 1.263 | CHF 6.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-3004
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD079N06L3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.48mm | |
| Höhe | 6.223mm | |
| Breite | 6.731mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.48mm | ||
Höhe 6.223mm | ||
Breite 6.731mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon ist die perfekte Wahl für die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen wie z. B. in Servern, Desktops und Tablet-Ladegeräten. Darüber hinaus können diese Geräte für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen verwendet werden
Höchste Systemeffizienz
Weniger Parallelen erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
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