STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche 750 V Erweiterung / 25 A, 4-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV
- RS Best.-Nr.:
- 275-1318P
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT65R65AL
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 275-1318P
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT65R65AL
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT (5 x 6) HV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT (5 x 6) HV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
- Ursprungsland:
- CN
The STMicroelectronics e-mode powerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge