Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 22 A 179 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 279-9905P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 279-9905P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB150N60E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.137Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 179W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.137Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 179W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 22 A – SIHB150N60E-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Steuerschaltkreisen in Industrie- und Automatisierungsumgebungen entwickelt wurde. Es arbeitet als N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse und bietet eine praktische Grundfläche für Baugruppen, die eine robuste Hochspannungsschaltung erfordern und gleichzeitig einem breiten Temperaturbereich standhalten.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 22 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine dauerhafte Lasthandhabung • 0,137 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 179 W Verlustleistung unterstützt höhere Leistungsstufen • Typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht überschaubare Schaltverluste • 30-V-Gate-Nennspannung ermöglicht eine breite Gate-Drive-Flexibilität
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile, die Hochspannungstransistoren erfordern • Ideal für Motorantriebe in industriellen Automatisierungssystemen • Wird für Wechselrichterstufen in Leistungsumwandlungsmodulen verwendet • Kann zum Austausch von Hochspannungsrelais in Steuergeräten verwendet werden • Wird mit Stromversorgungen verwendet, die bei erhöhten Temperaturen arbeiten
Welchen Temperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs vertragen?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 150 °C in extremen Umgebungstemperaturen und eignet sich für raue industrielle thermische Bedingungen.
Wie viele Klemmen bietet das Gehäuse und welche Montageart wird verwendet?
Das Gerät verfügt über drei Pins und wird in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert.
Welche maximale Gate-Ansteuerung sollte auf die Gate-Elektrode angewendet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu verhindern.
Was ist die typische Schalteigenschaft, die beim Antriebsdesign zu berücksichtigen ist?
Die Gate-Ladung beträgt 36 nC, was bei der Treibergröße berücksichtigt werden sollte, um Schaltübergänge und Verluste zu steuern.