Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 8-Pin 8x8LR
- RS Best.-Nr.:
- 279-9929P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 99 | CHF 5.03 |
| 100 - 249 | CHF 4.44 |
| 250 - 999 | CHF 4.36 |
| 1000 + | CHF 4.28 |
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- RS Best.-Nr.:
- 279-9929P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | 8x8LR | |
| Serie | E | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.084Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße 8x8LR | ||
Serie E | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.084Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung 600 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom 51 A – SIHR080N60E-T1-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Schaltfunktionen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er bietet eine Kombination aus hoher Blockierungsspannung, erheblicher Dauerstromfähigkeit und einer Gate-Nennspannung, die für gängige Antriebsschaltkreise geeignet ist, wodurch er sich für Systeme eignet, die kompakte Schaltungen mit hoher Leistung in beengten Layouts benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• 600-V-Sperrkapazität ermöglicht den Einsatz in Hochspannungsanlagen
• 51 A Dauerstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 0.084 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 500 W ermöglicht eine dauerhafte Handhabung hoher Leistung
• Typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Bewertung von 30 V schützt vor übermäßigen Gate-Antriebsspannungen
• 51 A Dauerstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 0.084 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 500 W ermöglicht eine dauerhafte Handhabung hoher Leistung
• Typische Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Bewertung von 30 V schützt vor übermäßigen Gate-Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Front-Ends
• Wird mit Wechselrichterstufen für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Schweißen mit mittlerer Leistung und Induktionsheizung
• Ideal für industrielle Motorantriebe-Front-Ends
• Wird mit Wechselrichterstufen für erneuerbare Energien verwendet
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für Schweißen mit mittlerer Leistung und Induktionsheizung
Welchen Temperaturbereich verträgt es in rauen Umgebungen?
Er arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz unter weiten thermischen Bedingungen, ohne dass er für mäßige Temperaturunterdrückungen ausfällt.
Wie unterstützt das Gehäuse kompakte Leiterplatten-Designs?
Die 8-polige oberflächenmontierbare Grundfläche von 8 x 8 L ermöglicht eine dichte Platzierung der Leiterplatten und bietet gleichzeitig eine ausreichende thermische und elektrische Konnektivität.
Wie hoch ist die Durchlassspannung während der Leitung und ihre Auswirkungen?
Die typische Durchlassspannung beträgt 1,2 V, was den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand beeinflusst und bei den thermischen und Wirkungsgradberechnungen berücksichtigt werden muss.
Ist dieses Gerät für die Anforderungen von Kfz-Spezifikationen geeignet?
Es ist nicht als Automotive-Qualität angegeben, daher sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es den Autospezifischen Normen für Fahrzeugelektronik entspricht.
