Vishay SQJ162EP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 166 A 250 W, 4-Pin SO-8L

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.11.515

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3'000 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF 2.303CHF 11.51
50 - 95CHF 1.899CHF 9.50
100 - 245CHF 1.697CHF 8.48
250 - 995CHF 1.656CHF 8.30
1000 +CHF 1.626CHF 8.14

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
280-0019
Herst. Teile-Nr.:
SQJ162EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

166A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8L

Serie

SQJ162EP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.005Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

VISHAYs Automotive MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

AEC-Q101-qualifiziert

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.