Vishay SQJ162EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 166 A 250 W, 4-Pin SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 280-0019
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ162EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.715
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 24. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.743 | CHF.8.69 |
| 50 - 95 | CHF.1.439 | CHF.7.18 |
| 100 - 245 | CHF.1.281 | CHF.6.41 |
| 250 - 995 | CHF.1.25 | CHF.6.26 |
| 1000 + | CHF.1.229 | CHF.6.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 280-0019
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ162EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 166A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8L | |
| Serie | SQJ162EP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.005Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 166A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8L | ||
Serie SQJ162EP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.005Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
VISHAYs Automotive MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.
TrenchFET-Leistungs-MOSFET
100 Prozent Rg und UIS-geprüft
AEC-Q101-qualifiziert
Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil
Verwandte Links
- Vishay SQJ162EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 166 A 250 W, 4-Pin SQJ162EP-T1_GE3 SO-8L
- Vishay SQJ740EP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 123 A, 4-Pin SO-8L SQJ740EP-T1_GE3
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 243 A 214 W, 4-Pin SQJ154EP-T1_GE3 PowerPAK SO-8L
- Vishay SQJ Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 66 A 135 W, 4-Pin SQJ186ELP-T1_GE3 PowerPAK SO-8L
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 350 A 500 W, 4-Pin SQJ136ELP-T1_GE3 PowerPAK SO-8L
- Vishay Einfach SQJ Typ P-Kanal 1 MOSFET 60 V / 36 A 68 W, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ457EP-T1_GE3
- Vishay SQJ740EP Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 123 A, 4-Pin SO-8L
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 243 A 214 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L