Vishay SQS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 44 A 119 W, 8-Pin 1212-8SLW

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Herst. Teile-Nr.:
SQS181ELNW-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

1212-8SLW

Serie

SQS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0593Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Durchlassspannung Vf

-0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

VISHAYs Automotive MOSFET ist ein P-Kanal-MOSFET, dessen Transistor aus dem Material Silizium besteht.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

100 Prozent Rg und UIS-geprüft

AEC-Q101-qualifiziert

Vollständig bleifreies (Pb) Bauteil

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