Vishay IRF840 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 281-6028P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF 2.404 |
| 100 - 245 | CHF 2.303 |
| 250 - 495 | CHF 2.161 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 281-6028P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF840PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRF840 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 850mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRF840 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 850mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRF840 von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 125 W Verlustleistung – IRF840PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Halbleitergerät für das Schalten und Verstärken in der Leistungselektronik. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Kühlkörper geeignet ist. Die Komponente ist RoHS-konform und verwendet eine N-Kanal-Verbesserungstopologie zur Steuerung der Drain-Source-Leitung in Hochspannungsschaltkreisen.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsanwendungen
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lasten
• 125 W Verlustleistung für erhöhtes Wärmeverhalten
• 850 mΩ Rds(on) gleicht Leitungsverluste aus und erleichtert die Steuerung
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb
• 8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt dauerhafte Lasten
• 125 W Verlustleistung für erhöhtes Wärmeverhalten
• 850 mΩ Rds(on) gleicht Leitungsverluste aus und erleichtert die Steuerung
• Die Gesamt-Gate-Ladung von 63 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteil-Ausgangsstufen
• Verwendung mit Hochspannungs-Motorantriebsstromkreisen
• Ideal für industrielle Umrichter-Schaltelemente
• Kann für DC/DC-Wandler-High-Side-Transistoren verwendet werden
• Wird für Laborstromprüfgeräte und Prototypenplatinen verwendet
• Verwendung mit Hochspannungs-Motorantriebsstromkreisen
• Ideal für industrielle Umrichter-Schaltelemente
• Kann für DC/DC-Wandler-High-Side-Transistoren verwendet werden
• Wird für Laborstromprüfgeräte und Prototypenplatinen verwendet
Welche Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs vertragen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.
Wie sollte es montiert werden, um eine optimale thermische Leistung zu erzielen?
Das Durchsteckformat des TO-220AB ist für die Befestigung an einem Kühlkörper mittels Lasche und Befestigungselement ausgelegt, um die Wärmeleitung zu maximieren.
Welche Gate-Treiber-Beschränkungen müssen von Konstrukteuren beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten
sollten typische Gate-Treiber-Schaltkreise kontrollierte Übergänge zur Verwaltung der Gate-Ladung von 63 nC bieten.
Gibt es Garantien in Automobilqualität für den Einsatz in Fahrzeugen?
Es ist nicht als Kfz-Standardgerät aufgeführt, daher sollten Entwickler die Eignung vor Fahrzeuganwendungen prüfen.
