Vishay IRFZ48R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 190 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.120.20

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1'015 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
50 - 95CHF.2.404
100 - 245CHF.2.141
250 - 495CHF.2.02
500 +CHF.1.879

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
281-6036P
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ48RPBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

IRFZ48R

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.018Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Durchlassspannung Vf

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET der Serie IRFZ48R von Vishay, 60 V Drain-Quellenspannung, 50 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFZ48RPBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Durchsteck-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in moderaten Spannungsbereichen und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste thermische Toleranz und eine hohe Strombelastbarkeit in einem TO‐220AB-Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Drain-Source-Spannung von 60 V für Mittelspannungsschaltungen • 50 A kontinuierlicher Ablassstrom für schwere Schaltvorgänge • 0,018 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste • 190 W Verlustleistung für dauerhafte Leistungsaufnahme • 110 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten • Maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen

Anwendungen


• Geeignet für Motorantriebsstufen in Automatisierungssystemen • Ideal für Stromversorgungsschaltelemente in industriellen Geräten • Wird zum Schalten der Last in elektrischen Verteilermodulen verwendet • Kann für Hochstromschaltungen in mechanischen Steuerungssystemen verwendet werden

Welche Überlegungen sind für eine schnelle Schaltung erforderlich?


Verwenden Sie einen Treiber, der ausreichend Spitzenstrom liefern kann, um 110 nC schnell zu laden, und beachten Sie die maximale Gate-Source-Nennspannung von 20 V, um Überdrehungen zu vermeiden.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf den Dauerbetrieb aus?


Montieren Sie es auf einem geeigneten Kühlkörper und berücksichtigen Sie bei der Berechnung des Wärmewiderstands und der Betriebszyklen die Verlustgrenze von 190 W und die maximale Betriebstemperatur von 175 °C.

Welche Faktoren bestimmen die Eignung für die Leiterplattenmontage im Vergleich zur Chassismontage?


Das Durchstecklochformat TO-220AB eignet sich sowohl für die Leiterplattenmontage als auch für die Befestigung isolierter Kühlkörper

Auswahl der Montage basierend auf thermischem Pfad und mechanischen Belastungsanforderungen.

Kann dieses Gerät bei niedrigen Temperaturen während der Lagerung und des Betriebs vertragen?


Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C. Stellen Sie daher sicher, dass Materialien und Lötprozesse mit dieser unteren Grenze kompatibel sind.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.