Vishay IRFZ48R N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 190 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 281-6036P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 50 - 95 | CHF 2.404 | - |
| 100 - 245 | CHF 2.141 | CHF 26.30 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 281-6036P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ48RPBF
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | IRFZ48R | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.018Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie IRFZ48R | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.018Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET der Serie IRFZ48R von Vishay, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFZ48RPBF
Merkmale und Vorteile:
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 50 A unterstützt schwere Lasten
• Maximale Verlustleistung von 190 W ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• Maximale Ablass-Quellenspannung 60 V ermöglicht Mittelspannungssysteme
• Eine typische Gate-Ladung von 110 nC ermöglicht ein vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Source-Bewertung von 20 V bietet Standard-Gate-Drive-Kompatibilität
Anwendungen
• Geeignet für DC/DC-Wandler und Netzteile
• Ideal für Schaltmodus-Leistungsverstärkerschaltungen
• Kann für Batteriemanagement- und Schutzsysteme verwendet werden
• Wird mit Kühlkörperbaugruppen in Hochleistungsmodulen verwendet
