Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 200 V / 660 mA 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 354-5720P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP149H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- BSP149H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 660mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 660mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der SIPMOS®-Serie von Infineon, 660 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP149H6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein wichtiges Bauteil für eine Reihe von elektronischen Anwendungen und bietet eine effiziente Leistung in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage. Es eignet sich gut für die Steuerung von Automatisierungsschaltungen und ist für Anwender aus den Bereichen Elektronik, Elektrik und Mechanik relevant. Die Verarmungsmodus-Charakteristik verbessert die Steuerung bei Schaltanwendungen und macht ihn zu einer geeigneten Wahl für Ingenieure.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximale Drain-Source-Spannung von 200 V für Hochspannungsanwendungen
• Kontinuierliche Drainstromfähigkeit von bis zu 660 mA
• Nutzt die SIPMOS-Technologie für gleichbleibende Leistung
• RoHS-konform mit Pb-freier Bleibeschichtung
• dv/dt-Bewertung für verbesserte Widerstandsfähigkeit gegen Spannungsschwankungen
Anwendungsbereich
• Treiber in Automatisierungssystemen
• Schaltnetzteile für das Energiemanagement
• Automobilelektronik gemäß AEC-Q101-Normen
Welche Bedeutung hat die Charakteristik des Verarmungsmodus?
Der Verarmungsmodus ermöglicht eine effiziente Steuerung des MOSFETs, wodurch ein effektives Schalten auch bei niedrigeren Spannungen möglich ist, was in verschiedenen elektronischen Designs von Vorteil ist.
Wie bewältigt das Gerät thermische Herausforderungen?
Er funktioniert in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet selbst unter extremen thermischen Bedingungen eine zuverlässige Leistung, die durch seine effektiven Wärmemanagementfähigkeiten unterstützt wird.
Wie hoch ist die Gate-Schwellenspannung für dieses Bauteil?
Die Gate-Schwellenspannung reicht von -2,1V bis -1V und bietet vielseitige Schaltmöglichkeiten für unterschiedliche Schaltungsanforderungen.
Welche Auswirkungen hat die ESD-Klasseneinstufung?
Die Einstufung in die ESD-Klasse 1B bedeutet, dass das Design elektrostatischen Entladungen zwischen 500 V und 600 V standhalten kann, was die Zuverlässigkeit des Geräts in empfindlichen Anwendungen erhöht.