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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
NXP BUK9575-100A,127 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 23 A 98 W, 3-Pin TO-220AB
RS Best.-Nr.:
484-2915
Herst. Teile-Nr.:
BUK9575-100A,127
Marke:
NXP
Alle MOSFET anzeigen
Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
484-2915
Herst. Teile-Nr.:
BUK9575-100A,127
Marke:
NXP
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
Datasheet
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
Hinweis
NXP ist eine Marke von NXP B.B.
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
23 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
72 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
2V
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Verlustleistung max.
98 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-15 V, +15 V
Transistor-Werkstoff
Si
Breite
4.7mm
Länge
10.3mm
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
9.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
RS Best.-Nr.:
484-2915
Herst. Teile-Nr.:
BUK9575-100A,127
Marke:
NXP
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
Datasheet
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
Hinweis
NXP ist eine Marke von NXP B.B.
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
23 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
72 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
2V
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Verlustleistung max.
98 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-15 V, +15 V
Transistor-Werkstoff
Si
Breite
4.7mm
Länge
10.3mm
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
9.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C