STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 38 A 80 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 485-7658
- Herst. Teile-Nr.:
- STP45NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.0.717 | CHF.3.59 |
| 10 - 20 | CHF.0.646 | CHF.3.23 |
| 25 - 95 | CHF.0.616 | CHF.3.08 |
| 100 - 495 | CHF.0.455 | CHF.2.29 |
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- RS Best.-Nr.:
- 485-7658
- Herst. Teile-Nr.:
- STP45NF06
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 28mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 28mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6 mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
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