Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 200 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 541-1720P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5210PBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 10 - 24 | CHF 2.77 |
| 25 - 49 | CHF 2.72 |
| 50 - 99 | CHF 2.54 |
| 100 + | CHF 2.36 |
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- 541-1720P
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- IRF5210PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 180nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 180nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 8.77mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 40A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF5210PBF
Dieser MOSFET ist für verschiedene elektrische und elektronische Anwendungen konzipiert. Er ist für hohe Effizienz optimiert und unterstützt Automatisierungs- und Steuersysteme, bei denen ein effektives Energiemanagement entscheidend ist. Seine robusten Spezifikationen ermöglichen eine präzise Steuerung der Schaltkreise und gewährleisten Zuverlässigkeit und Effizienz in schwierigen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• 40 A kontinuierlicher Drainstrom für Hochleistungsanwendungen
• maximale Drain-Source-Spannung von 100 V bietet vielseitige Einsatzmöglichkeiten
• P-Kanal-Design vereinfacht die Schaltungskonfiguration
• Die Enhancement Mode-Funktionalität ermöglicht eine effiziente Energieverwaltung
• Hohe maximale Verlustleistung verbessert die thermische Leistung
Anwendungsbereich
• Leistungsschaltung in der industriellen Automatisierung
• DC-DC-Wandler für eine effiziente Energieversorgung
• Motorregelkreise für Präzision
• Szenarien der Spitzenbelastbarkeit in der Elektronik
Wie hoch ist die maximale Betriebstemperatur für dieses Bauteil?
Das Bauteil kann bei einer maximalen Temperatur von +175°C betrieben werden und ist damit für Hochtemperaturanwendungen geeignet.
Wie wirkt sich der niedrige Durchlasswiderstand auf die Leistung der Schaltung aus?
Der niedrige Einschaltwiderstand führt zu geringeren Leistungsverlusten und damit zu einer höheren Energieeffizienz und einem verbesserten Wärmemanagement.
Eignet sich dies für Anwendungen in Automobilsystemen?
Ja, aufgrund seiner robusten Spezifikationen und thermischen Eigenschaften eignet er sich für Anwendungen in der Automobilindustrie, bei denen es auf Zuverlässigkeit ankommt.
In welche Art von Schaltungskonfigurationen kann es integriert werden?
Diese Komponente lässt sich nahtlos in verschiedene Konfigurationen integrieren, einschließlich Einzel- und Parallelanordnungen, und ermöglicht so eine flexible Gestaltung.
Wie sollte es installiert werden, um eine optimale Leistung zu gewährleisten?
Sorgen Sie für den richtigen Wärmekontakt mit einem Kühlkörper und halten Sie sich an die empfohlenen Richtlinien für das PCB-Layout, um Leistung und Zuverlässigkeit zu verbessern.