Vishay IRF610PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,3 A 36 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 543-0046
Herst. Teile-Nr.:: IRF610PBF
Marke:: Vishay

Vishay IRF610PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,3 A 36 W, 3-Pin TO-220AB

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Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	3,3 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	36 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,2 nC @ 10 V
Länge	10.41mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.01mm

RS Best.-Nr.:: 543-0046
Herst. Teile-Nr.:: IRF610PBF
Marke:: Vishay